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VWM200-01P
- 制造厂商：Littelfuse（力特）
- 类别封装：分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列，封装:V2-PAK
- 技术参数：MOSFET 6N-CH 100V 210A V2-PAK
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VWM200-01P技术参数详情：
- 型号:VWM200-01P
- 品牌:IXYS (已被Littelfuse力特收购)
- 封装:V2-PAK
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
- 描述:MOSFET 6N-CH 100V 210A V2-PAK
- 系列:-
- 包装:盒
- 产品状态:停产
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 配置:6 N-沟道（3 相桥）
- FET 功能:-
- 漏源电压（Vdss）:100V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):210A
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:5.2 毫欧 @ 100A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 2mA
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:430nC @ 10V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:-
- 功率 - 最大值:-
- 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:底座安装
- 封装/外壳:V2-PAK
- 供应商器件封装:V2-PAK
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