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MIEB100W1200TEH
- 制造厂商：Littelfuse（力特）
- 类别封装：晶体管 - IGBT - 模块，封装：E3
- 技术参数：IGBT MODULE 1200V 183A 630W E3
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MIEB100W1200TEH技术参数详情：
- 制造商产品型号：MIEB100W1200TEH
- 制造商：IXYS（已被Littelfuse力特半导体收购）
- 描述：IGBT MODULE 1200V 183A 630W E3
- 系列：晶体管 - IGBT - 模块
- 零件状态：有源
- IGBT类型：-
- 配置：三相反相器
- 电压-集射极击穿（最大值）：1200V
- 电流-集电极(Ic)（最大值）：183A
- 功率-最大值：630W
- 不同Vge、Ic时Vce(on)（最大值）：2.2V @ 15V，100A
- 电流-集电极截止（最大值）：300A
- 不同Vce时输入电容(Cies)：7.43nF @ 25V
- 输入：标准
- NTC热敏电阻：是
- 工作温度：-40°C ~ 125°C（TJ）
- 安装类型：底座安装
- 封装：E3
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