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MCB60P1200TLB-TRR
- 制造厂商：Littelfuse（力特）
- 类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列，封装：9-PowerSMD
- 技术参数：MCB60P1200TLB-TRR
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MCB60P1200TLB-TRR技术参数详情：
- 制造商产品型号：MCB60P1200TLB-TRR
- 制造商：IXYS（已被Littelfuse力特半导体收购）
- 描述：MCB60P1200TLB-TRR
- 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
- 产品系列：-
- 零件状态：有源
- FET类型：4 N 沟道（半桥）
- FET功能：标准
- 漏源电压（Vdss）：1200V
- 25°C时电流-连续漏极(Id)：-
- 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：-
- 不同Id时Vgs(th)（最大值）：-
- 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：-
- 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：-
- 功率-最大值：-
- 工作温度：-
- 安装类型：表面贴装型
- 封装：9-PowerSMD
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