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IXYQ40N65B3D1
- 制造厂商：Littelfuse（力特）
- 类别封装：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单，封装：TO-3P-3，SC-65-3
- 技术参数：DISC IGBT XPT-GENX3 TO-3P (3)
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IXYQ40N65B3D1技术参数详情：
- 制造商产品型号：IXYQ40N65B3D1
- 制造商：IXYS（已被Littelfuse力特半导体收购）
- 描述：DISC IGBT XPT-GENX3 TO-3P (3)
- 系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 产品系列：GenX3, XPT
- 零件状态：有源
- IGBT类型：PT
- 电压-集射极击穿（最大值）：650V
- 电流-集电极(Ic)（最大值）：86A
- 电流-集电极脉冲(Icm)：195A
- 不同Vge、Ic时Vce(on)（最大值）：2V @ 15V，40A
- 功率-最大值：300W
- 开关能量：800J（开），700J（关）
- 输入类型：标准
- 栅极电荷：68nC
- 25°C时Td（开/关）值：20ns/140ns
- 测试条件：400V，30A，10 欧姆，15V
- 反向恢复时间(trr)：37ns
- 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
- 安装类型：通孔
- 封装：TO-3P-3，SC-65-3
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