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IXGH32N100A3
- 制造厂商：Littelfuse（力特）
- 类别封装：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单，封装：TO-247-3
- 技术参数：IGBT 1000V 75A 300W TO247AD
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IXGH32N100A3技术参数详情：
- 制造商产品型号：IXGH32N100A3
- 制造商：IXYS（已被Littelfuse力特半导体收购）
- 描述：IGBT 1000V 75A 300W TO247AD
- 系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 产品系列：GenX3
- 零件状态：有源
- IGBT类型：PT
- 电压-集射极击穿（最大值）：1000V
- 电流-集电极(Ic)（最大值）：75A
- 电流-集电极脉冲(Icm)：200A
- 不同Vge、Ic时Vce(on)（最大值）：2.2V @ 15V，32A
- 功率-最大值：300W
- 开关能量：2.6mJ（开），9.5mJ（关）
- 输入类型：标准
- 栅极电荷：87nC
- 25°C时Td（开/关）值：24ns/385ns
- 测试条件：800V，32A，10 欧姆，15V
- 反向恢复时间(trr)：-
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：通孔
- 封装：TO-247-3
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