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IXFK120N20
- 制造厂商：Littelfuse（力特）
- 类别封装：单端场效应管，TO-264AA
- 技术参数：MOSFET N-CH 200V 120A TO-264AA
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IXFK120N20技术参数详情：
- IXYS公司完整型号：IXFK120N20
- 制造商：IXYS（已被Littelfuse力特半导体收购）
- 描述：MOSFET N-CH 200V 120A TO-264AA
- 系列：HiPerFET
- FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET 功能：标准
- 漏源极电压 (Vdss)：200V
- 电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：120A（Tc）
- 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：17 毫欧 @ 60A，10V
- 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 8mA
- 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：300nC @ 10V
- 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：9100pF @ 25V
- 功率 - 最大值：560W
- 安装类型：通孔
- 封装/外壳：TO-264-3，TO-264AA
- 供应商器件封装：TO-264AA （IXFK）
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